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半導体パッケージングにおけるOpenair-Plasma®技術

Openair-Plasma®(オープンエアープラズマ) は、インラインで表面を迅速かつ制御された状態で洗浄・活性化します。
特に半導体分野では、高度にパーティクルの少ないプロセス制御を可能にし、不良の低減と品質の向上に貢献します。さらに、優れた密着性と最適な濡れ性に加え、製品の耐用年数や安定性も向上します。選択的なプラズマ前処理によって、層間剥離 (IDM:界面破壊モード) などの界面故障や、内部クラック (CCM:凝集破壊モード) を大幅に低減できます。

界面品質が左右する半導体の信頼性

現代の半導体パッケージは、金属/金属、金属/ポリマー、さらにはさまざまなポリマー組み合わせから成る複雑な多材料システムで構成されています。
その信頼性は、材料界面がどれだけ清浄で、かつ長期にわたって安定した結合を保てるかに大きく依存します。
これらの界面にわずかな欠陥が生じるだけでも、層間剝離、クラック、または予期せぬ故障を引き起こす可能性があります。

この重要な界面品質を損なう主な要因は次のとおりです。

  • 酸化膜の形成:不要な領域に形成された酸化膜は、適切な接着や電気的接触を妨げます。
  • 濡れ性の不足:表面の濡れ性が不十分な場合、接合プロセス中の均一な密着や材料の安定した流動が阻害されます。
  • パーティクルや残渣による汚染:微粒子や有機残渣の付着は、接合部の欠陥や早期故障を引き起こします。
  • 熱膨張係数の差 (CTEミスマッチ):温度変化に伴う機械的応力や微細亀裂の発生により、界面の長期信頼性が低下します。

これらの課題はすべて、有害な薬品や高コストな真空装置、特殊ガスを用いることなく、プラズマ技術によって効果的に解決できます。

ウェーハ洗浄 ― 大気圧プラズマによる最高レベルの清浄度

先進的な半導体デバイスの製造では、まず清浄なウェーハ表面の確保が重要です。その表面状態が、後続するすべてのプロセスの品質を左右します。シリコンウェーハやチップ、高性能半導体は非常にデリケートであり、わずかな汚染でも性能や歩留まりに大きく影響します。従来、ウェーハ洗浄には密閉された真空チャンバー内での低圧プラズマシステムが使用されてきました。

Openair-Plasma®技術の登場により、ウェーハ洗浄プロセスは大きく進化しました。
現在では、大気圧プラズマが真空を必要とせず、生産を止めることなく、ナノレベルの表面洗浄をインラインで実現します。真空工程を省くことで、Openair-Plasma®はプロセスの簡素化と自動化の促進を同時に達成します。ウェーハはスライシングや研磨の工程から直接プラズマ処理に移行でき、有機残渣や微粒子を効果的に除去します。その結果、エラーの減少、生産スピードの向上、プロセス効率の最適化が実現します。

この真空を伴わないインライン型プラズマプロセスは、あらゆる半導体材料において最高レベルの表面清浄度を保証します。化学薬品を一切使用せず、生産ラインを停止させることなく、高い信頼性と再現性を備えた洗浄プロセスを提供します。また、この技術は自動化製造ラインへの統合が容易であり、生産コストの削減環境負荷の低減の両立に貢献します。

その結果、すべてのウェーハがワイヤボンディングやダイアタッチなどの次工程に最適な状態でパッケージングプロセスに進み、製造初期段階から高いデバイス信頼性を確保します。

ダイアタッチとインターコネクション

高品質な接合は、半導体パッケージング工程の中核を担う要素です。汚染や不十分な前処理が施された表面は、接合不良、デラミネーション (層間剥離)、NSOP (ノン・スティック・オン・パッド) や早期故障の原因となります。

ワイヤボンディング、ダイボンディング (フリップチップ)、接着剤による接合などのプロセスでは、表面品質が信頼性と性能を左右します。
Openair-Plasma®は、基板、ボンドパッド、チップ/ダイなど、重要なすべての表面を洗浄・活性化します。これにより、酸化膜や有機残渣などの汚染物を効果的に除去され、濡れ性と接着性が最適に制御されます。

リードフレーム — 酸化膜除去

金属リードフレーム上に形成される酸化膜は、半導体デバイスにおける強固で信頼性の高い接合を弱めたり阻害する要因となります。
Openair-Plasma®とREDOX®ツールを組み合わせることで、こうした不要な酸化膜を真空チャンバーを使用せず、乾式かつインライン処理で除去でき、生産工程へシームレスに統合できます。
その結果、電気的および機械的な接合品質の向上に加え、歩留まりの改善工程ロスの低減、そして一貫性と再現性の高い表面状態が実現し、プロセス全体の信頼性が最大化されます。

ダイボンディング — ダイアタッチ工程でプラズマ処理が欠かせない理由

ダイアタッチプロセスの品質は、あらゆる半導体デバイスの信頼性と性能を左右します。接合の不均一やボイド、不十分なダイの密着は、デバイスの使用開始から製品寿命に至るまで、機能に悪影響を及ぼすおそれがあります。
Openair-Plasma®によるプラズマ前処理は、すべてのダイと基板の表面を最適な状態に整えることで、安定したダイアタッチ工程を実現します。有機残渣や酸化膜をインラインプロセスで効果的に除去し、真空装置や強力な化学薬品を使用せずに表面を高精度に活性化します。
プラズマ処理の有無による違いは明確です。処理を行わない場合はボイドやデラミネーション (層間剥離)、密着不良が発生しやすくなりますが、プラズマ処理を施すことで、すべてのダイが安定して強固かつクリーンに接合されます。

主な効果として、プロセス信頼性と接合品質の向上酸化膜除去による表面清浄度の改善、および接着剤・エポキシ・はんだへの高い密着性があげられます。優れた濡れ性によりボイドや剥離を低減し、熱的・機械的ストレス下でも安定したデバイス性能を維持します。その結果、歩留まりの向上工程ロスの低減製品品質の一貫性が実現します。

つまり、Openair-Plasma®の導入により、ダイアタッチ工程の各ステップが高精度で安定した前処理プロセスへと進化し、あらゆる条件下でも高い信頼性と長期安定性を備えた半導体デバイスの製造が可能になります。

ワイヤボンディング — プラズマ活性化による高い信頼性の実現

高品質なワイヤボンディング接続は、あらゆる最新ICの信頼性を支える基盤であり、その品質は、清浄で活性化された表面状態によって決まります。 酸化膜や有機残渣など、わずかな汚染物でも「ノンスティック・オン・パッド (NSOP)」、せん断強度の低下、さらには早期故障の原因となります。

プラズマ活性化処理は、これらの課題を根本から解消する有効な手段です。 汚染物を効果的に除去し、ボンドパッド表面を最適な状態に活性化することで、強固なワイヤ接合と高い電気的・機械的安定性を確保します。 その結果、弱い接合やボンドリフト、コストのかかる再加工の発生を大幅に低減し、歩留まりの向上、安定した再現性、そしてパッケージング工程全体における高い品質信頼性を実現します。

サーモコンプレッションボンディング (TCB) ― プラズマによるフラックスレス・高品質接続の実現

Openair-Plasma®およびREDOX®プロセスにより、要求の厳しい接合工程においても最適な条件を整え、信頼性の高い先進パッケージングと高性能な実装を実現します。
これらの表面処理技術により、フラックスを使用せずに安定したボイドレス接合が可能となり、プロセスの高い信頼性と再現性を確保します。同時に、環境負荷を抑えたコスト効率の高い生産を支援し、長期にわたる性能と製品品質を支える優れた電気的・機械的信頼性を提供します。

フラックス前のプラズマ処理

サーモコンプレッションボンディング (TCB) では、表面の品質が接合全体の信頼性と性能を左右します。フラックス前のプラズマ処理により、均一で高エネルギーな表面が形成され、最適な濡れ性が得られます。
これにより必要なフラックス量を大幅に削減でき、接合の信頼性が向上するとともに、デバイス全体の信頼性も確実に向上します

フラックスレスTCB

フラックスフリーTCB (サーモコンプレッションボンディング) プロセスにおいては、金属酸化膜の除去が特に重要です。
そこで、プラズマトリートのREDOX®技術は、自動化およびインライン対応のプラズマ還元処理を提供します。生産ライン内で金属表面を完全に洗浄・活性化し、化学薬品や湿式プロセスを使用することなく酸化膜を除去します。

封止工程の前処理

安定性と長期信頼性を備えた保護封止は、現代の半導体部品を支える重要な要素です。
しかし、どれほど高品質な封止材であっても、表面が最適に処理されていなければ、その性能を十分に発揮することはできません。目に見えない残渣や酸化膜、濡れ性の不良は、剥離や気泡、欠陥の原因となり、パッケージの電気的性能や長期安定性を損なうおそれがあります。

封止前にプラズマによる選択的な表面活性化を行うことで、最適な表面状態を実現します。これにより封止材が気泡なく均一に広がり、すべての材料に確実に密着して、過酷な条件下でも長期にわたる安定した保護性能を確保します。

アンダーフィル前の表面活性化

アンダーフィル材が確実に濡れ広がり、均一に流動するための鍵となる前提条件は、高く均一な表面エネルギーです。Openair-Plasma®により、基板表面はインラインプロセス内で直接活性化され、アンダーフィルが最適に分散し、確実に密着します。 同時に、ダイシング工程で生じた微細な粒子や残渣も徹底的に除去されます。
その結果、理想的なフィレット形成が可能となり、気泡 (ボイド) の発生が大幅に低減し、日常使用や過酷な条件下でも、高い信頼性と長期的な保護性能を備えた封止が実現します。

モールディング・封止工程における表面前処理

信頼性の高いモールディングおよび保護封止を実現するためには、基板表面の品質が極めて重要です。リードフレームや微細ワイヤから高機能封止材に至るまで、関係するすべての材料は、汚染や酸化がなく、化学的に高い反応性を備えている必要があります。この条件が満たされて初めて、材料の均一な流動性、優れた密着性、長期安定性が確保されます。

Openair-Plasma®は、これを実現するための専用プロセスを提供します。プラズマ洗浄は、密着性を損なう原因となる有機・無機残渣を除去し、剥離を防止します。プラズマ還元処理により、微細な金属酸化膜までも除去し、化学的に結合しやすい高活性な表面を形成します。さらに、PlasmaPlus®(プラズマプラス) ナノコーティングは、湿気から保護しつつ材料間の適合性を高める、薄く均一なバリア層を形成します。

これらのプロセスを組み合わせることで、封止材の最適な流動性を確保し、エアポケット (気泡) の発生を防止します。また、REACHおよびMSL1規格への完全準拠を可能にし、最も過酷な製造・稼働条件下でも高い信頼性を確保します。

EMCの接着性を高めるナノコーティング

特に要求の厳しいパッケージング用途において、ナノスケールのプラズマコーティングは、エポキシモールドコンパウンド (EMC) と前処理された基板またはダイとの最適な密着を実現します。その結果、優れた接着性と高い信頼性を備え、熱的・機械的負荷が大きい条件下でも安定した性能を維持します。
これらのナノコーティングは、用途に合わせて精密に制御された高活性表面を形成し、層間剥離やクラックの発生を効果的に防止します。そのため、パッケージは初期の機能試験から長期の実使用に至るまで、安定性と耐久性を確保します。さらに、欠陥の低減と生産性の向上を実現し、常に一貫した高品質な製品を提供します。

バリアコーティング — 高感度ICを原子レベルで保護

PlasmaPlus®に代表されるバリアコーティングは、高感度な半導体部品を湿気やイオンマイグレーション、さまざまな環境要因から確実に保護します。大気圧下で成膜される超薄膜 (通常700~1,000nm) の保護層が、内部部品の周囲に効果的なシールドを形成します。
この高機能コーティング技術は、水分やイオン汚染から部品を確実に保護し、電気的絶縁性と長期安定性を維持します。さらに、熱的・機械的ストレス下でも高い耐久性を発揮し、ICパッケージの信頼性を長期にわたり確保します。その結果、ICパッケージは過酷な環境条件下においても、機能性と電気的安定性を維持します。

最終組立工程における洗浄・マーキング

最終組立工程におけるOpenair-Plasma®技術の特長は、製品が出荷されるまで粒子や残渣を一切残さず、最高水準の清浄度と精度を維持できる点にあります。

さらに、あらゆる表面に確実で恒久的なマーキングを施すことで、トレーサビリティと耐久性を確保します。廃棄や不良を最小限に抑えることで歩留まりを最大化し、生産効率とコストパフォーマンスを両立します。

生産全体を通じてプロセスの信頼性と包括的な品質保証が維持され、最終工程に至るまで一貫した品質管理が行われます。清浄で最適に処理された最終製品こそが、安定した生産と長期的な信頼性の基盤となります。
これにより、常に高品質を一貫して提供し、顧客の期待を超える製品づくりを実現します。